Intégration tridimensionnelle monolithique de transistors à effet de champ bidimensionnels complémentaires

L'intégration 3D monolithique de FETs WSe2 complémentaires a été réalisée, avec des FETs de type n dans le niveau 1 et des FETs de type p dans le niveau 2. Des vias denses sont réalisés avec un pas inférieur à 1 µm, facilitant les inverseurs 3D ainsi que les fonctionnalités logiques NAND et NOR.