La synthèse directe de films de nitrure de bore hexagonal polycristallin uniforme facilite l'intégration de composants électroniques à mémoire résistive à grande échelle dans des systèmes à semi-conducteur métal-oxyde, mettant en avant des méristors à nitrure de bore hexagonal sans transfert qui présentent un rendement élevé, une fiabilité, une opération multibit et un faible bruit.