Nature | Nanotechnology 日本語 フォロー 200mmシリコンウェーハ上への原子層堆積酸化物半導体のモノリシック3D集積 200mmウェーハ上での酸化物半導体デバイスのモノリシック3D集積が実証され、垂直に相互接続されたロジックとメモリが可能になり、エネルギー効率の高いAIアクセラレータの設計をサポートします。 Monolithic 3D integration of atomic-layer-deposited oxide semiconductors on 200-mm silicon wafers nature.com Nature | Nanotechnology 日本語 RSS thenote.app