200mmシリコンウェーハ上への原子層堆積酸化物半導体のモノ... ノート

200mmシリコンウェーハ上への原子層堆積酸化物半導体のモノリシック3D集積

200mmウェーハ上での酸化物半導体デバイスのモノリシック3D集積が実証され、垂直に相互接続されたロジックとメモリが可能になり、エネルギー効率の高いAIアクセラレータの設計をサポートします。