漏洩電流は電子デバイスの動作と信頼性に影響を与えますが、二次元（2D）材料における漏洩電流の正確な測定は困難でした。本稿では、異なる厚さのhBN、MoS2、およびWS2における漏洩電流を正確に定量化し、SiO2と比較することで、2D材料ベースの電子デバイスの性能と信頼性の予測に役立てます。