Nature | Materials 日本語 フォロー 二次元スタックにおける強誘電体様ゲーティングの制御 グラフェンが六方晶窒化ホウ素に封入されたものは、時に不可解な強誘電体様のメモリ効果を示す。回転可能なデバイスは、この効果が2つの六方晶窒化ホウ素層を完全な整列からずらすことによってオンオフできることを明らかにし、議論を解決し、ツイストされたファンデルワールススタックにおける界面極性の微視的な起源に関する根本的な疑問を提起する。 Controlling ferroelectric-like gating in two‑dimensional stacks nature.com Nature | Materials 日本語 RSS thenote.app