RSS サイエンス・マガジン | 最初のリリース フォロー ガリウムニトライド高電子移動度トランジスタにおけるショットキー・ゲート限界を負のキャパシタンスが克服 | サイエンス アルミニウムガリウムニトライド/ガリウムニトライド（AlGaN/GaN）ヘテロ構造に基づく二次元電子ガス（2DEG）内の高電子移動度トランジスターの場合、シュットキー・ゲートが使用され、誘導可能な電荷の量を最大化し、結果として... Negative capacitance overcomes Schottky-gate limits in GaN high-electron-mobility transistors | Science science.org
