球状極トポロジ構造は、高密度メモリアプリケーションを可能にする可能性があるため関心を集めていますが、そのようなテクスチャ形成には、形成のために慎重にバランスの取れた境界条件を持つ超格子が必要です。ここでは、これらのテクスチャが自立型のCuInP2S6で形成できること、そして機械的な力が高密度のドメインを生成できることが見出されました。