Science Magazine | AAAS: Science Advances 日本語 フォロー MoS2を介したGa2O3の電荷媒介リモートエピタキシャル成長 | Science Advances サファイア上に合成されたMoS2のドメインフリー、トランスファーフリー単分子層を介した、コランダム相α-Ga2O3のリモートエピタキシャル成長が実証された。MoS2の固有の非理想性、特にその厚さと極性結合特性にもかかわらず、... Charge-mediated remote epitaxy of Ga2O3 via MoS2 | Science Advances science.org Science Magazine | AAAS: Science Advances 日本語 RSS thenote.app