MoS2を介したGa2O3の電荷媒介リモートエピタキシャル成... ノート

MoS2を介したGa2O3の電荷媒介リモートエピタキシャル成長 | Science Advances

サファイア上に合成されたMoS2のドメインフリー、トランスファーフリー単分子層を介した、コランダム相α-Ga2O3のリモートエピタキシャル成長が実証された。MoS2の固有の非理想性、特にその厚さと極性結合特性にもかかわらず、...
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