選択的なラジカル捕捉は、複数のラジカル中間体を含む遷移金属触媒変換における中心的な課題であり続けている。今回、選択的なラジカル捕捉のための電子的バイアスを利用した、配位子変調金属-ラジカル極性マッチ機構が特定された。この原理により、エチレンの一般的な光レドックス/銅触媒による1,2-ジカルボ官能基化が可能となり、構造的に多様な1,2-ジカルボ官能基化エタンへのモジュラーアクセスが提供される。