有機エレクトロニクスにおいて、電子特性を調整するために電気ドーピングが一般的に使用されています。p型ドーピング剤の不安定なラジカルアニオンを利用するメカニズムは、通常のp型ドーパントと比較して、有機半導体ホストにおける正孔密度を最大で2桁増加させます。