チャネル長（Lch）とコンタクト長（Lc）の同時微細化は、2次元トランジスタの工業化に向けた重要な課題であり続けている。ここでは、著者らは、サブ10 nmのLchとLcを持つ2次元MoS2チャネルに基づいた高性能垂直金属-半導体電界効果トランジスタの実現を報告している。