ツイスト菱面体グラフェンにおける層エンジニアリングされた量子... ノート

ツイスト菱面体グラフェンにおける層エンジニアリングされた量子異常ホール効果

モノレイヤーからマルチレイヤー(1+N)の菱面体グラフェンの多数のサンプルにおける磁気輸送測定により、Chern数C=Nを持つ高Chern数量子異常ホール効果が明らかになった。さらに、ツイストバーナル二層-菱面体四層グラフェンにおいて、変位場駆動のトポロジカル相転移がC=3とC=4の状態間で実証された。