相補的な2次元電界効果トランジスタのモノリシック3次元積分化

相補型WSe2 FETのモノリシック3次元集積を実現し、n型FETを第1層に、p型FETを第2層に配置した。1µm以下のピッチで高密度のビアを実現し、NANDおよびNORロジック機能だけでなく、3Dインバーターも容易にしている。