薄膜圧電材料の進歩はあったものの、電場誘起ひずみの周波数および温度に対する線形性は依然として改善が必要である。ここでは、(K,Na)NbO3薄膜中に、互いにかみ合った単斜晶および正方晶の極性ナノ領域を成長させることにより、105 Hzまでの周波数で最大1.1%の非常に線形なひずみが報告されている。