均一な多結晶六方晶窒化ホウ素膜の直接合成は、スケーラブルなメムリスタエレクトロニクスに向けた相補型金属酸化膜半導体統合を容易にし、高歩留まり、信頼性、マルチステート動作、低ノイズを示す、転写フリーの六方晶窒化ホウ素メムリスタを実証します。