2차원 재료에서 형성되는 반데르발스 틈에 의한 장치 스... 노트

2차원 재료에서 형성되는 반데르발스 틈에 의한 장치 스케일링 제약 | Science

트랜지스터 소형화는 초박막 유전체를 통한 게이트 누설 전류 제어와 소스/드레인 접촉 저항 최소화를 필요로 합니다. 2차원(2D) 반도체는 우수한 정전기적 제어를 제공하지만, 게이트와의 계면에서...
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