2차원 물질을 통한 양자 터널링 및 누설 전류 노트

2차원 물질을 통한 양자 터널링 및 누설 전류

누설 전류는 전자 장치의 작동 및 신뢰성에 영향을 미치지만, 2차원(2D) 재료 전반에 걸친 누설 전류의 정확한 측정은 어려웠습니다. 본 논문은 서로 다른 두께를 가진 hBN, MoS2 및 WS2 전반에 걸친 누설 전류를 정확하게 정량화하고 SiO2와 비교하여 2D 재료 기반 전자 장치의 성능 및 신뢰성을 예측하는 데 도움을 줍니다.