Электрическое легирование широко используется в органической оптоэлектронике для настройки электронных свойств. Механизм, использующий нестабильные радикальные анионы p-легирующих агентов, увеличивает плотность дырок в органическом полупроводниковом матрице до двух порядков по сравнению с обычными p-легирующими добавками.