Эпитаксия Ga2O3 на расстоянии, опосредованная зарядом, через MoS2 | Science Advances
Удаленный эпитаксиальный рост корундовой фазы α-Ga2O3 продемонстрирован с использованием бездоменного, переносимого монослоя MoS2 в качестве шаблона, синтезированного на сапфире. Несмотря на присущие MoS2 неидеальности — в частности, его толщину и характеристики полярной связи —...