Авторы предлагают стратегию иерархической дефектной инженерии для сегнетоэлектрических оксидов для достижения полноспектрального оптического поглощения и повышения широкополосного самозаряжаемого фотодетектирования, реализуя самозаряжаемое фотодетектирование в диапазоне 250–5000 нм с чувствительностью >1 мА/Вт.