Авторы: Хао-Ченг Тонг, Бо Ву, Фан Ху, Педро Б. Грошевич, Чен-Бо-Вен Ли, Джун Чен, Мао-Хуа Чжан, Драган Дамьянович, Бен Сюй и Ке Ванг Мы сообщаем об открытии геометрического пути для настройки сегнетоэлектрических свойств посредством термически индуцированной реконфигурации между сосуществующими полярными состояниями в ${\mathrm{NaNbO}}_{3}$, замещенном литием. Используя расчеты теории функционала плотности первого принципа и твердотельного ЯМР $^{7}\mathrm{Li}$… [Phys. Rev. Lett. 137, 036801] Опубликовано Вт, 14 июля 2026 г.