Стратегия селективного шаблонного роста открывает доступ к ранее недоступному классу химически инертных низкоразмерных (ХИ НР) интерфейсов для защиты лежащего в основе трехмерного (3D) перовскита в перовскитных солнечных элементах (ПСЭ). Прототипы 1-кв.см 3D/ХИ НР ПСЭ достигают КПД более 25% и демонстрируют высокую операционную и термическую стабильность.