Recent Articles in Phys. Rev. Lett. на русском
Подписаться
Исследование диэлектрического экранирования в ван-дер-Ваальсовых гетероструктурах с помощью серии экситонных ридбергов, настраиваемых давлением
Авторы: Шалини Бадола, Адлен Смири, Томас Пелини, Адити Могхе, Тристан Риккарди, Амит Паубак, Кенджи Ватанабе, Такаши Танигучи, Иан К. Гербер и Клеман Фожерас
Экситоны в двумерных полупроводниках напрямую подвержены воздействию окружающей среды и чувствительны к диэлектрическим свойствам своего окружения. Здесь мы показываем, что ридберговская серия возбужденных состояний экситонов в монослое ${\mathrm{WSe}}_{2}$, инкапсулированном в гексагональный нитрид бора (hBN… [Phys. Rev. Lett. 137, 036903] Опубликовано в пятницу, 17 июля 2026 г.