Ток утечки влияет на работу и надежность электронных устройств, но получение точных измерений тока утечки через двумерные (2D) материалы было затруднено. В этой статье точно количественно определяется ток утечки через hBN, MoS2 и WS2 с разной толщиной и сравнивается с SiO2, что помогает предсказать производительность и надежность электронных устройств на основе 2D-материалов.