Nature | Nanotechnology на русском
Подписаться
Монолитная 3D-интеграция оксидных полупроводников, нанесенных методом атомно-слоевого осаждения, на кремниевых пластинах диаметром 200 мм
Продемонстрирована монолитная 3D-интеграция оксидных полупроводниковых устройств на 200-мм пластине, обеспечивающая вертикально соединенную логику и память и поддерживающая разработку энергоэффективного ускорителя ИИ.