Для транзисторов с высокой подвижностью электронов, основанных на двумерном электронном газе (2DEG) в квантовой яме, таких как те, что основаны на гетероструктурах AlGaN/GaN, используется шоттки-вход для максимизации количества заряда, которое может быть индуцировано, и, соответственно, ...