Авторы: Хао Ян, Цяотун Луань, Цин Чжан, Юнцин Сунь, Вэйцзе Чжэн, Чжэнь Ван, Хуань-хуа Ван, Сяохуэй Лю, Чжэн Вэнь и Чжаору Сунь Оксиды флюорита, такие как ${\mathrm{HfO}}_{2}$, демонстрируют богатое и настраиваемое фазовое поведение, что делает их перспективными кандидатами для электронных устройств следующего поколения. В этой области ключевая задача заключается в разработке аморфных высоко$k$-материалов на основе ${\mathrm{HfO}}_{2}$ с улучшенными структурными и… [Phys. Rev. Lett. 137, 036101] Опубликовано Чт, 16 июля 2026 г.