Одновременное уменьшение длины канала (Lch) и длины контакта (Lc) остается важной проблемой на пути к индустриализации 2D-транзисторов. Здесь авторы сообщают о создании высокопроизводительных вертикальных полевых транзисторов металл-полупроводник на основе 2D-каналов MoS2 с Lch и Lc менее 10 нм.