Диффузия элементов в Cu2ZnSnS4 вызывает образование вторичных фаз и дефектов, ограничивая напряжение холостого хода в соответствующих солнечных элементах. Ван и др. представляют двухэтапное введение меди для подавления диффузии меди наружу, что позволило достичь эффективности 12,4% и напряжения холостого хода 874 мВ в солнечных элементах.