Авторы: Томас К. М. Грэм, Юй-Сюань Ван, Ниранджана Ренджит Наир, Ксения Мосина, Кендзи Ватанабе, Такаши Танигучи, Зденек Софер и Брайан Б. Чжоу Интеграция полупроводниковых и магнитных материалов может объединить транзисторную работу с энергонезависимостью и обеспечить такие архитектуры, как логика в памяти. Здесь мы используем коррелированный электрический транспорт и сканирующую магнитную визуализацию азотно-вакантных центров для выяснения концепции спинового транзистора т… [Phys. Rev. Lett. 137, 040802] Опубликовано 22 июля 2026 г. (среда)