Терагерцовые технологии обладают потенциалом для преодоления скоростных ограничений будущих оптоэлектронных приложений, однако большая длина волны терагерцового света в свободном пространстве препятствует реализации наноразмерных устройств. Теперь продемонстрировано ограничение терагерцового света до нанометрового масштаба с использованием фонон-поляритонов в ванадий-галлиевых кристаллах на основе гафния.