Дефекты в спинтронных материалах, ранее считавшиеся ограничениями, теперь могут стать ключом к прогрессу. Китайские исследователи обнаружили, что несовершенства могут усиливать орбитальные токи, открывая путь к более эффективным и низкопотребляющим устройствам, которые превосходят традиционные подходы.