Управление электронно-сегнетоэлектрической анизотропией в ${\mathrm{LuFe}}_{2}{\mathrm{O}}_{4}$ при

Управление электронно-сегнетоэлектрической анизотропией в ${\mathrm{LuFe}}_{2}{\mathrm{O}}_{4}$ при комнатной температуре с помощью терагерцового поля.

Авторы: Хиротакэ Ито, Рюсей Минаками, Хонгву Ю, Рёхэй Цуруока, Тацуя Амано, Ёхей Каваками, Син-я Косихара, Косукэ Фудзивара, Наоши Икеда, Ёити Окимото и Синъитиро Иваи. Электронные сегнетоэлектрики, с поляризацией $\mathbit{P}$, вызванной сильно коррелированными зарядами, как ожидается, будут демонстрировать ультрабыстрые, огромные и гибкие отклики, необходимые в будущей оптоэлектронике. Хотя проблемы, связанные с ультрабыстрым управлением такой поляризацией, всё ещё решаются, ожидаемые преимущества... [Phys. Rev. Lett. 135, 106504] Опубликовано в четверг, 4 сентября 2025 года.

Terahertz Field Control of Electronic-Ferroelectric Anisotropy at Room Temperature in ${\mathrm{LuFe}}_{2}{\mathrm{O}}_{4}$ link.aps.org

RSS Hunter • 4 сент. 2025 г.