Двумерный монокристаллический пентоксид гадолиния с высокой диэлектрической проницаемостью и широкой запрещенной зоной был получен посредством эпитаксии ван-дер-Ваальса, что позволяет добиться эквивалентной толщины оксида менее 1 нанометра и маломощной наноэлектроники.