Les scientifiques ont construit un transistor qui pourrait laisser le silicium dans la poussière

"Les transistors en silicium qui se rétrécissent ont atteint leurs limites physiques, mais une équipe de l'Université de Tokyo réécrit les règles. Ils ont créé un transistor de pointe utilisant de l'oxyde d'indium dopé au gallium avec une structure novatrice "gate-all-around". En ingénierie précise de la structure atomique du matériau, le nouveau dispositif atteint une mobilité électronique et une stabilité remarquables. Cette percée pourrait alimenter des électroniques plus rapides et plus fiables qui alimentent les technologies futures, des systèmes d'intelligence artificielle aux systèmes de données massives."