Der Widerstandsdrift, auch als zeitliche Änderung des elektrischen Widerstands bekannt, behindert die Anwendung von Phasenwechselmaterialien für neuromorphesches Rechnen. Hier wird ein amorpher CrTe3-Dünnfilm ohne Widerstandsdrift im Arbeitstemperaturbereich von −200 °C bis 165 °C vorgestellt.