Für Hochbeweglichkeitstransistoren, die auf einem Zwei-dimensionalen Elektronengas (2DEG) innerhalb eines Quantentopfs basieren, wie beispielsweise solche, die auf einer AlGaN/GaN-Heterostruktur basieren, wird ein Schottky-Gate verwendet, um die Menge an Ladung zu maximieren, die induziert werden kann, und dadurch die...