Die direkte Synthese von gleichmäßigen polykristallinen hexagonalen Bornitridfilmen ermöglicht die komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter-Integration für skalierbare memristive Elektronik. Sie zeigt transferfreie hexagonale Bornitrid-Memristoren, die eine hohe Ausbeute, Zuverlässigkeit, Mehrzustandsbetrieb und geringes Rauschen aufweisen.