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Ultra schnelle Raumtemperatur-Tal-Manipulation in Silizium und Diamant
Die Kontrolle über Elektronenpopulationen in verschiedenen Leitungsbandminima in Halbleitern kann zur Speicherung und Verarbeitung von Informationen genutzt werden. Jetzt wurde die ultra schnelle optische Manipulation solcher Elektronen bei Raumtemperatur in Silizium und Diamant demonstriert.