Das Wachstum von einheitlichen kristallinen β-Ga2O3 auf poly-diamant-Substraten wird durch die Verwendung einer Graphen-Zwischenschicht zur Erleichterung der Keimbildung erreicht, was eine ultraniedrige thermische Widerstandskraft an der Grenzfläche ermöglicht, das Gitterungleichgewicht überwindet und thermische Spannungen aufgrund von Wärmeausdehnung mildert.