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Une mémoire d'accès aléatoire adressable par plasmon-électron et compatible avec la technologie CMOS | Science Advances

Un prototype de RAM plasmonique-électronique bistable est présenté en utilisant une jonction de tunnel ferroélectrique.

A plasmon-electron addressable and CMOS compatible random access memory | Science Advances

Image illustrant l'article : Une mémoire d'accès aléatoire adressable par plasmon-électron et compatible avec la technologie CMOS | Science Advances

2025-05-09

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