バンダーワールスヘテロ構造におけるスピン・チャージ変換の単層制御

著者：Khasan Abdukayumov 他 Pt/Gr のバンダーワールスヘテロ構造におけるスピン荷電変換は、単層MoSe2の挿入によって制御できることがわかり、ラッシャー効果の物理的起源を根本的に変化させることにより、エミッションを変化させることができる。[Phys. Rev. Lett. 135, 016702] 2025年6月30日(月)刊行