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ハイブリッドジョセフソン接合アレイにおける電圧制御型異常金属から金属への転移
著者: S. Sasmal, M. Efthymiou-Tsironi, G. Nagda, E. Fugl, L. L. Olsen, F. Krizek, C. M. Marcus, および S. Vaitiekėnas
我々は、正方格子状に配置されたハイブリッド半導体-超伝導体アイランドのアレイにおける、電圧調整可能な相転移について報告する。二層の静電ゲート構造により、アイランド間の結合と近接効果による超伝導性を独立して調整できる。この設計により、… [Phys. Rev. Lett. 135, 156301] Published Wed Oct 08, 2025 にアクセスできる。
