「シリコントランジスタは物理的な限界に達したが、東京大学のチームはルールを書き換えている。彼らは、新しい「ゲート・アラウンド」構造を持つガリウムドープインジウムオキシドを使用して、最先端のトランジスタを作成した。材料の原子構造を精密にエンジニアリングすることで、新しいデバイスは驚くべき電子移動度と安定性を達成した。このブレークスルーは、AIからビッグデータ・システムまでの将来の技術を支える高速で信頼できる電子機器を燃料にする可能性がある。」
sciencedaily.com
Scientists built a transistor that could leave silicon in the dust
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