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プラズモン・エレクトロン・アドレッシング可能かつCMOS互換のランダムアクセスメモリー | サイエンス・アドバンス

フェロエレクトリック・トンネル・ジャンクションを用いた二安定プラズモニクス・エレクトロニックRAMのプロトタイプが提示されます。
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A plasmon-electron addressable and CMOS compatible random access memory | Science Advances
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