シリコンにおける高忠実度シングルスピン輸送

アイソトープ精製されたSi/SiGeヘテロ構造において、二色の進行波ポテンシャルを用いたコンベアモードのスピンシャトリングは、バケットブリゲードシャトリングよりも1桁優れたスピンコヒーレンスを示し、10μm以上の距離を200ns未満で99.5%の忠実度でスピンシャトリングすることを実証した。