著者: Thomas K. M. Graham, Yu-Xuan Wang, Niranjana Renjith Nair, Kseniia Mosina, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Zdeněk Sofer, and Brian B. Zhou 半導体材料と磁性材料を統合することで、トランジスタライクな動作と不揮発性を組み合わせ、ロジック・イン・メモリのようなアーキテクチャを可能にすることができる。ここでは、相関電気輸送と走査型窒素空孔中心磁気イメージングを用いて、スピン・トランジスタの概念を解明する… [Phys. Rev. Lett. 137, 040802] 2026年7月22日（水）発行