초고 전류 밀도를 위한 n형 이중층 MoS2 전계 효과 트랜지스터의 게이트 구조 설계

이중 게이트 구조를 가진 이중층 MoS2 FET가 보고되었으며, 이는 가장자리 전계를 보상하여 높은 캐리어 밀도를 가능하게 합니다. 이는 2차원 반도체 논리 소자 응용에 대한 가능성을 보여줍니다.