저자: Zhi Wang, Bumho Kim, Bo Zhen, Li He
전이 금속 이황화물 이종 구조에서 정전기 게이팅을 이용한 도핑 수준의 정밀한 조정은 엑시톤 발진자 강도와 따라서 엑시톤 광자 혼성화에서 광범위한 조절 가능성을 보여줍니다. [Phys. Rev. Lett. 136, 146901] 2026년 4월 8일 수요일 발행
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Strongly Nonlinear Nanocavity Exciton Polaritons in Gate-Tunable Monolayer Semiconductors
