과학자들은 실리콘을 뒤에 두고 떠날 수 있는 트랜지스터를 구축했습니다.

"실리콘 트랜지스터가 물리적 한계에 도달했지만, 도쿄 대학의 팀은 새로운 규칙을 다시 쓰고 있습니다. 그들은 갈륨 도핑 인듐 옥사이드를 사용하여 새로운 "게이트-올-어라운드" 구조의 트랜지스터를 만들었습니다. 재료의 원자 구조를 정밀하게 엔지니어링함으로써, 새로운 디바이스는 놀라운 전자 이동도와 안정성을 달성했습니다. 이 획기적인 발전은 AI부터 빅 데이터 시스템에 이르는 미래 기술을 구동하는 더 빠르고 더 신뢰할 수 있는 전자 제품을 구현할 수 있습니다."